ATX-XR系列LVDT位移傳感器專為測量極高溫和極低溫的位移測量而設計，ATX-XR系列耐核輻射輻照LVDT位移傳感器可以從-200~600℃中運行。
ATX-XR系列LVDT位移傳感器還具有較高耐輻射性，可以承受伽馬射線總積分量10¹¹ Rad或10⁹ Gy,可暴露于1x10¹⁹ NVT 總中子通量中。

ATX-XR系列超高溫耐輻照位移傳感器導線采用不銹鋼護套保護，這些電纜可以端接到密封的接頭上或連接器（如果需要）。
由于大多數無機絕緣材料都具有吸濕性，因此整個線圈組件均密封在不銹鋼內，這樣可以防止水份積聚、絕緣泄漏，并保護線圈不受周圍有害介質的影響同時允許磁芯自由移動。

某些應用需要同時抵抗伽瑪射線，中子射線和高輻射的組合溫度。在考慮詳細的規格和對特定應用的適用性之前，請先回顧和遵循以下工作定義和等效內容。

總中子通量
總積分中子通量（也稱為中子注量）是隨時間積分的中子通量。
中子通量：所有中子每單位時間和體積所移動的總距離
中子通量的公式：中子數/體積x距離/時間=中子密度x速度
中子密度：每單位體積的中子數（n）

 總中子通量的公式：
中子密度x速度x時間=中子密度x距離

 總中子通量單位：
n/m ³ x m = n/m ² (n: 中子數; m: 米)

NVT (n/cm ² )

單位換算: 1 NVT = 10 ⁴ n/m ²

伽瑪射線總累積劑量（TID）輻射
電離輻射的吸收劑量是每質量單位沉積的能量。
單位：rad（輻射吸收劑量）：每千克物質將沉積0.01焦耳能量的輻射
Gy（灰色）：每千克沉積1焦耳的能量的輻射（SI單位）
 單位換算：1 Gy = 100 rad
所有輻射都會產生一定的損害，因此，問題就變成了多少輻射以及哪種輻射可以在保證其操作規范的同時保持性能。因此這些參數僅是估計。當輻射能量落在物體上時，來自不同來源的等量能量可能會導致取決于輻射形式（即伽馬射線，中子等）的破壞程度不同。

這些不同來源也可能導致不同類型的損害。量化這些差異的一種方法是確定一個單元可以承受的輻射速率，而不會造成瞬時和不可接受的損壞。另一種方法是確定在“磨損”損壞之前可以吸收的總積分通量。必須牢記通量率和總積分通量之間的區別。
 中子注量與伽馬射線之間沒有直接關系。如果我們假設能量相等，由于來自不同來源的耗散，單元吸收的能量將隨其吸收截面而變化。要是我們嘗試使損害平均化，由于損害的質量差異，由各種形式輻射引起的不確定性更大。